IBM刚官宣2nm研发不久（2纳米，相当于在指甲大小的芯片上容纳多达500亿个晶体管），台积电现已取得1nm以下制程重大突破！近日，台积电、台大与MIT携手研发出半导体新材料「铋（Bi）」，能大幅降低电阻并提高传输电流，有助于未来突破「摩尔定律」极限。

IBM 刚刚官宣研发 2nm 芯片不久，台积电再次发起了挑战！

台积电取得 1nm 以下制程重大突破，不断地挑战着物理极限。

近日，台大与台积电、美国麻省理工学院合作研究发现二维材料结合「半金属铋（Bi）」能达极低电阻，接近量子极限。

这项研究成果由台大电机系暨光电所教授吴志毅，与台湾积体电路和 MIT 研究团队共同完成，已在国际期刊 Nature 上发表，有助实现半导体 1nm 以下制程挑战。

沈品均、吴志毅、周昂升（从左至右）

半导体新材料「铋」：有望突破「摩尔定律」极限

目前半导体主流制程进展到 5nm 和 3nm 节点。

晶片单位面积能容纳的电晶体数目，已将逼近半导体主流材料「硅」的物理极限，晶片效能也无法再逐年显著提升。

近年科学界积极寻找能取代硅的二维材料，挑战 1nm 以下的制程，却苦于无法解决二维材料高电阻及低电流等问题。

台大、台积电和 MIT 自 2019 年展开了长达 1 年半的跨国合作，终于找到了这把 key。

这个重大突破先由 MIT 团队发现在「二维材料」上搭配「半金属铋（Bi）」的电极，能大幅降低电阻并提高传输电流。

台积电技术研究部门则将「铋（Bi）沉积制程」进行优化，最后台大团队运用「氦离子束微影系统」将元件通道成功缩小至纳米尺寸，终于获得突破性的研究成果。

吴志毅教授说明，在使用「铋（Bi）」为「接触电极」的关键结构后，二维材料电晶体的效能，不但与「硅基半导体」相当，又有潜力与目前主流的硅基制程技术相容，有助于未来突破「摩尔定律」极限。

研究成果能替下世代晶片，提供省电、高速等绝佳条件，未来可望投入人工智能、电动车、疾病预测等新兴科技应用。

台积电走向 2nm！预计 2024 年实现量产

几十年来，半导体行业进步的背后存在着一条金科玉律，即摩尔定律。

摩尔定律表明：每隔 18~24 个月，集成电路上可容纳的元器件数目便会增加一倍，芯片的性能也会随之翻一番。

然而，在摩尔定律放缓甚至失效的今天，全球几大半导体公司依旧在拼命「厮杀」，希望率先拿下制造工艺布局的制高点。

台积电在先进制程方面可谓是一骑绝尘。

3nm 领域，台积电一只独秀。

2020 年，5nm 量产。

2nm 预计在 2023 至 2024 推出。

此前报道曾介绍了台积电近年来整个先进制程的布局：

要知道，台积电、英特尔和三星并称半导体制造业「三巨头」。在芯片制程逐渐缩小的路上，三大巨头你追我赶。

现在半路又杀出了 IBM，上周竟宣布自己研发出了世界首个 2nm 芯片，相当于在指甲大小的芯片上容纳多达 500 亿个晶体管，速度更快并且更高效。

对与更先进的 2nm 制程，台积电早在 2019 年就宣布对此研发。

去年，在 5nm 量产不久后，台积电宣布 2nm 制程取得重大突破——切入环绕式栅极技术 ( gate-all-around，简称 GAA ) 技术。

有别于 3nm 与 5nm 采用鳍式场效晶体管（FinFET）架构。

FinFET 本身的尺寸已经缩小至极限后，无论是鳍片距离、短沟道效应、还是漏电和材料极限也使得晶体管制造变得岌岌可危，甚至物理结构都无法完成。

而全环绕栅 ( GAA ) 是 FinFET 技术的演进， 沟道由纳米线（nanowire）构成，其四面都被栅极围绕，从而再度增强栅极对沟道的控制能力，有效减少漏电。

台积电在 2nm 研发上切入全环栅场效应晶体管 GAA，其竞争对手三星则早在 2 年前其揭露 3nm 技术工艺时，就宣布从 FinFET 转向 GAA，并「大放厥词」：2030 年要超过台积电，取得全球芯片代工龙头地位。

这也算是为两家企业 2-3nm 制程的市场之战吹响了号角。

为了抢在台积电之前完成 3nm 的研发，三星的芯片制造工艺由 5nm 直接上升到 3nm，4nm 则直接跳过。

尽管台积电和三星在 2nm-3nm 市场你争我夺，但是英特尔却毫不在乎，依然坚持在 14nm，10nm 制程上的研发。

台积电，三星对最先进制程的追赶，正是想要在世界先进制程领域一决高下。

台积电加入美半导体联盟

与此同时，出于利益考虑，全球晶圆代工第一大厂、岛内企业台积电还积极寻求在美建厂，努力之一就是加入了刚刚成立的「美国半导体联盟」。

本周二，由美国科技公司主导的游说团体「美国半导体联盟」（Semiconductors in American Coalition，SIAC）成立。

SIAC 成员目前包括苹果、谷歌、微软和英特尔，除了这些美国主导科技企业外，还包括三星、海力士，还有光刻机巨头 ASML，更有岛内晶圆代工大厂台积电和联发科。

对于加入 SIAC 的消息，台积电没有做出具体回应。

SAIC 官网「成员」页的部分截图，可以看到台积电在列

这些成员任何一家的限制都会给我们的发展带来阻挡。

专家解读，可能让中国更难达成不依赖美国技术、半导体自给自足的目标。

SIAC 的当务之急是敦促美国政府提供「补助」。

一个由美国两党参议员组成的小组在周五公布了一项「520 亿美元」的提案，以在 5 年内大幅提高美国半导体芯片生产和研究水平。

美参议员 Mark Kelly 等人一直在讨论一项折中的方案，以「应对中国半导体产量的上升，以及芯片短缺对汽车制造和其他美国产业的影响」。这项提案预计将被纳入参议院下周讨论的关于资助美国基础和先进技术研究的法案中。

除了这项 520 亿美元的提案，据美国《国会山报》报道，当地时间 5 月 12 日，美国参议院商务、科学和运输委员会以 24：4 的结果投票通过「无尽前沿」法案，授权在五年内拨款「1100 亿美元」用于科技研究。

「无尽前沿」法案将授权五年内将其中 1000 亿美元投资基础和先进科技研究、商业化、教育和培训项目，其中包括人工智能、半导体、量子计算、先进通信、生物技术和先进能源。

此外，法案还包括再拨款「100 亿美元」，设立至少十个区域技术中心，并创建一个供应链危机应对计划，来解决殃及汽车生产的「半导体芯片缺口」等问题。

Hinrich 基金会研究员、新加坡国立大学讲师亚历克斯 · 卡普里指出，因为美国正大力将半导体价值链与技术转移回美国，并设下保护网，这让「中国大陆提升芯片产业的努力，将更具挑战性」。

卡普里认为，台积电大幅度增加对美投资，并参与在美国建立领先的 5 纳米甚至 3 纳米芯片制造工厂，可能会给中国大陆带来压力，因为台积电显然不会在大陆盖这类工厂。

台积电上月证实曾投资 29 亿美元扩大在南京的工厂，但该工厂的技术是 28nm 制程，比台积电在美国亚利桑那州晶圆厂所使用的技术还要落后两至三代。

Intralink 电子和嵌入软件部门主管兰道尔说，台积电与其他加入 SIAC 的公司一样，是出于自身利益的考量，有机会瓜分美国政府的 500 亿美元资金。